DL/T523《導(dǎo)體和電器選擇設(shè)計技術(shù)規(guī)定》中規(guī)定：“僅用西安熔斷器保護(hù)的導(dǎo)體和電器可不驗算熱穩(wěn)定；除用有限流作用的熔斷器保護(hù)者外，導(dǎo)體和電器的動穩(wěn)定仍應(yīng)驗算?！卑创艘?guī)定，F(xiàn)-C回路中導(dǎo)體和設(shè)備因為由高壓限流熔斷器保護(hù)，應(yīng)該驗算熱穩(wěn)定而不必驗算動穩(wěn)定。  

但由前述的高壓限流熔斷器選擇方法及其與真空接觸器的配合分析可見，F(xiàn)-C回路柜內(nèi)的導(dǎo)體和設(shè)備都應(yīng)進(jìn)行動、熱穩(wěn)定驗算。

其驗算方法可采用與校驗真空接觸器的短路耐受能力一致，即根據(jù)熔斷器的限流特性來驗算動穩(wěn)定；根據(jù)熔斷器的大動作焦耳積分來驗算熱穩(wěn)定。

由于利用了高壓限流熔斷器的限流特性，F(xiàn)-C回路內(nèi)導(dǎo)體和設(shè)備可以按較低短路耐受能力選擇，因此F-C回路內(nèi)導(dǎo)體和設(shè)備的短路耐受能力與其是否能被高壓限流熔斷器保護(hù)有關(guān)，F(xiàn)-C回路柜內(nèi)連接在熔斷器兩端的導(dǎo)體和設(shè)備應(yīng)按不同條件校驗短路耐受能力。

當(dāng)柜內(nèi)的導(dǎo)體和設(shè)備連接布置在熔斷器的負(fù)荷側(cè)時，由前述分析可知，西安熔斷器可以利用真空接觸器的短路耐受能力來校驗F-C回路柜中的導(dǎo)體和設(shè)備的短路耐受能力，即其動、熱穩(wěn)定值不小于接觸器的動、熱穩(wěn)定值便可滿足要求。據(jù)此，F(xiàn)-C回路開關(guān)柜內(nèi)位于負(fù)荷側(cè)的引線和小車插頭熱穩(wěn)定電流可按與接觸器相同考慮；而其動穩(wěn)定電流可按熔斷器截止電流特性設(shè)計，并統(tǒng)一至真空接觸器半波允通電流所對應(yīng)的數(shù)值，例如取40kA或50kA峰值。